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ESD案例分享——GDT妙用

      在大多數(shù)網(wǎng)關(guān)產(chǎn)品中,RJ45既需要做浪涌防護,也需要做ESD防護,偶爾也會遇上浪涌與ESD防護難以兼顧的情況。昨天一個客戶的項目恰巧遇上了,今天正好分享給有興趣的朋友。



▲圖1


      網(wǎng)口防護電路大致如(圖1),客戶初級側(cè)共模浪涌采用90V的GDT——BZ091N,次級采用低容BV03C-H做差模防護,抑制浪涌或ESD電壓尖峰。
      客戶反饋共模浪涌10/700us 6kV測試可以通過,端口ESD空氣15KV測試設(shè)備死機需重啟。通過溝通得知,板子面積較小空間受限,CPU與phy都靠近RJ45端口,布局大致如(圖2)。
圖2



      首先分析ESD可能的路徑,①從變壓器初級耦合到次級再到phy與CPU; 從中間抽頭經(jīng)GDT到PE地通過耦合電容到系統(tǒng)地。其他(如RJ45金屬外殼到地...)不是本案的重點。
     接下來是整改,我們拆掉GDT,完全PASS,可沒有GDT浪涌來了板子直接炸飛了,咋辦?
     這時候就該展現(xiàn)GDT奇妙的地方了,將GDT換到400V的BZ401M,浪涌和ESD測試直接一把通過,它和BZ091N完全同封裝,pin to pin。
     接下來解釋一下為啥90V的GDT ESD測試FAIL,400V的PASS。兩顆器件在1KV/us的擊穿電壓只差150V,對應(yīng)6kV的浪涌沒有盲區(qū)完美替代。但ESD測試90V的GDT激發(fā)出的帶電粒子更多,單位時間內(nèi)(di/dt)轉(zhuǎn)移到PCBA系統(tǒng)地的電荷自然更多,引起的地抖動更大〔u=L(di/dt),對系統(tǒng)的時序邏輯電路影響大。反之400V GDT激發(fā)出的帶電粒子更少。這主要由GDT的氣體配方和工藝差異決定的。GDT完全導(dǎo)通需要電場將氣體分子原子中活躍電子激發(fā)出來再去碰撞氣體分子原子中的其他電子形成較大的電流,而這一過程需要時間,ESD屬于納秒級放電(100ns左右)。
     因此不同工藝、配方的GDT導(dǎo)通時間(激發(fā)更多帶電粒子)有很大的差異浪涌放電幾十微秒以上,GDT完全有足夠的時間激發(fā)出更多帶電粒子導(dǎo)通。
     前面有提到板子小,面積有限,信號走線將地分割的已經(jīng)不完整,不完整的地有寄生電感,因此地會抖動。再者CPU離板邊近接受到的干擾更強。
      GDT在高速網(wǎng)口共模防護中由于其低容、大通流、低成本的優(yōu)勢特性不可取代。但我們在使用GDT作為浪涌和ESD防護時應(yīng)該注意,項目需要的浪涌測試方式(是否需要從低壓浪涌開始比如500V)、耐壓測試等,GDT是否存在不被擊穿的盲區(qū),或耐壓測試不足。
     最后還需提一下,ESD防護,經(jīng)常用到疏、堵的基本思想,關(guān)注檳城電子更多實戰(zhàn)案例與您分享。
              
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